蝕刻技術屬於感光化學技術領域， 是用光刻腐蝕加工薄（báo）形精密金屬製品的一種方法（fǎ）。
產品：
其基（jī）本原理（lǐ）是利用化學感光材料的光敏特（tè）性, 在基體金屬基片（piàn）兩麵均勻塗敷（fū）感光材料采用光刻方法, 將膠膜板上柵網產顯形狀精確地複製到金屬基片兩麵的感光層掩（yǎn）膜上通過顯影去除未感光部分的掩膜, 將裸露（lù）的金屬部分在後（hòu）續（xù）的加工（gōng）中與腐蝕液直接噴壓接觸而被蝕除, 最終獲取所需的幾何（hé）形狀及高精度尺寸的產品技術蝕刻技術。
蝕刻一共有兩大（dà）類：1：幹（gàn）式蝕刻; 2:濕式蝕刻。
蝕刻技術是利用特定的溶液與薄膜間所進行的（de）化學反應來去除薄（báo）膜未被光阻覆蓋的（de）部分，而（ér）達到蝕刻的（de）目的，這種蝕刻方式也就是所謂的濕（shī）式蝕刻。因為濕式蝕刻是利用化學反應來進（jìn）行薄膜的去（qù）除，而化學反應本身不具方向性，因此濕式蝕（shí）刻過程為等向性，一般而言此方式不足以定義3微米以下的線寬，但對（duì）於（yú）3微米以（yǐ）上的線寬定義濕式蝕刻（kè）仍然為一可選擇采用的技術。
濕式蝕刻（kè）的（de）優缺點
濕式蝕刻（kè）的（de）優缺點
低成本、高可（kě）靠性、高（gāo）產能及優越（yuè）的蝕刻選（xuǎn）擇比。但相對於幹（gàn）式蝕刻，除了無法定義較細的線寬外，濕式蝕刻仍有以下的缺點：1) 需花費較高成本（běn）的反應溶液及去離子水；2) 化學藥品處理時（shí）人員所遭（zāo）遇的安全問題；3) 光阻附著性問題；4) 氣泡形成及化學蝕刻（kè）液無（wú）法完全與晶圓表麵接觸所造成的不完（wán）全及（jí）不均勻的蝕刻；5) 廢氣及潛在的爆炸性。
濕式蝕刻過程可分（fèn）為三個步驟：1) 化學蝕刻液擴散至待蝕刻材料之表麵（miàn）；2) 蝕刻液與待蝕刻（kè）材料發生化學反應（yīng）； 3) 反應後之產物從蝕刻（kè）材料之表麵（miàn）擴散至溶液中，並（bìng）隨溶液排出(3)。三個步驟中進行最慢者（zhě）為速率控製步（bù）驟，也就是說（shuō）該步（bù）驟的反應（yīng）速率即為（wéi）整（zhěng）個反應之速率。
大部份的蝕刻過程包含了一個或多個化學反（fǎn）應步驟，各種形態的反應都有可能發生，但常遇到的反應（yīng）是將待蝕刻層表麵先（xiān）予（yǔ）以氧（yǎng）化，再將此氧化層溶解，並隨溶液排出，如此反複進行以達到蝕刻的效（xiào）果。如蝕刻矽、鋁時即是利用此（cǐ）種化學反應方式（shì）。
濕式（shì）蝕刻的速率
通常可藉由改變溶液（yè）濃度及溫度予以控製。溶液濃度可改變反（fǎn）應物質到達及離開待蝕刻物表（biǎo）麵的速率，一般而言，當溶液（yè）濃度增加時，蝕刻速率將會提高（gāo）。而提高溶液溫度可加速化學反應速率，進而加速蝕刻速率。
除了溶液的選用外，選擇適用的屏（píng）蔽物（wù）質亦是十分重要的，它必須與待（dài）蝕刻材料表（biǎo）麵有很（hěn）好的附著性、並能承受蝕（shí）刻（kè）溶液的侵蝕且穩定而不變質。而（ér）光阻通常是一個很好（hǎo）的屏蔽材料，且由於其圖案轉印步驟簡單，因此常（cháng）被使用。但使用光阻作為屏蔽材料時也會發生邊緣剝（bāo）離或龜裂的情形。邊緣（yuán）剝離乃由於蝕刻溶液的侵蝕（shí），造（zào）成光（guāng）阻與基材間的黏著性變差所致。解決的方（fāng）法則可使用黏著促進劑來增加光阻與（yǔ）基材間的黏（nián）著性，如Hexamethyl-disilazane (HMDS)。龜裂則是因為光阻與（yǔ）基材間的應力差異太大，減緩龜裂的方法可利用較具彈性的屏蔽材（cái）質來吸收兩者間的（de）應力差。
蝕（shí）刻化學反應過程中所產（chǎn）生的氣泡常會造成蝕刻的（de）不（bú）均勻性，氣泡留滯於基材上阻（zǔ）止了蝕刻溶液（yè）與待蝕刻物表麵的接觸，將使得蝕刻（kè）速率變慢或停滯，直到氣泡離開基材（cái）表麵。因此在（zài）這種情況下會在溶液中加入一些催化劑增進蝕刻溶液與待蝕（shí）刻物表麵的接觸，並在蝕刻過程中予（yǔ）於攪動以加速氣泡的脫（tuō）離。
